英伟达最新消息宣布!计划从三星采购HBM芯片

英伟达今日最新宣布了一项重要计划，即从全球领先的半导体企业三星采购高性能的HBM芯片。这一消息在科技界引起了广泛关注，标志着英伟达在加强自身芯片供应链稳定性方面迈出了坚实的一步。HBM(High Bandwidth Memory)芯片以其高带宽、低延迟的特性，在高性能计算、人工智能等领域具有广泛应用。英伟达此举不仅有助于提升自家产品的竞争力，也将推动整个半导体产业的协同发展。

今天，英伟达再度传来大消息。据外媒报道，英伟达计划从三星采购高带宽内存(HBM)芯片，HBM是人工智能处理器的关键组件。作为韩国电子巨头，三星试图追赶竞争对手SK海力士，后者最近开始大规模生产其下一代HBM芯片。

在英伟达GTC 2024大会上，英伟达CEO黄仁勋宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名为GB200，将于今年晚些时候上市。据CNBC消息，黄仁勋称，英伟达最新的AI芯片Blackwell售价将在3万美元至4万美元之间。他估计，英伟达在研发成本上花费了大约100亿美元。

英伟达还发布最新的GB200系列算网系统，算力性能显著提升，其中同时应用了铜连接、光连接的方案，市场对“光”与“铜”的延伸路径讨论较多。从昨天开始，铜连接概念股开始发酵。可以说，在目前这个时点，少了英伟达，市场将变得暗淡。

采购芯片

据今天早上日经新闻报道，英伟达计划从三星采购高带宽内存(HBM)芯片，这是人工智能处理器的关键组件。三星试图追赶竞争对手SK海力士，后者最近开始大规模生产其下一代HBM芯片。

“HBM内存非常复杂，附加值非常高。我们在HBM上投入了大量资金，”英伟达联合创始人兼首席执行官黄仁勋周二在加利福尼亚州圣何塞举行的媒体吹风会上表示。黄仁勋表示，英伟达正在对三星的HBM芯片进行资格认证，并将在未来开始使用它们。“三星是一家非常好的公司，”黄仁勋补充道。

与此同时，三星在存储芯片领域的最大竞争对手SK海力士在19日宣布，已开始量产下一代高带宽存储芯片HBM3E。HBM已成为人工智能热潮的重要组成部分，因为与传统存储芯片相比，它提供了急需的更快的处理速度。

黄仁勋表示：“HBM是一个技术奇迹。”他补充说，HBM还可以提高能源效率，并且随着耗电的人工智能芯片变得更加普遍，可以帮助世界变得更加可持续。

SK海力士实际上是AI芯片领导者英伟达的HBM3芯片的唯一供应商。虽然没有透露新HBM3E 的客户名单，但SK海力士高管告诉《日经亚洲》，新芯片将首先发运给英伟达，并用于其最新的Blackwell GPU。

三星一直在HBM上投入巨资，以追赶竞争对手。该公司于2月份宣布开发出HBM3E 12H，这是业界首款12堆栈HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星表示，将于今年上半年开始量产该芯片。

黄仁勋在周二的媒体吹风会上对记者表示：“三星和SK海力士的升级周期令人难以置信，一旦英伟达开始增长，他们就会与我们一起成长。”“我非常重视我们与SK海力士和三星的合作关系，”他补充道。

黄金时代

HBM是一款新型的CPU/GPU内存芯片。

华福证券认为，HBM是当前算力的内存瓶颈，亦是存储单元的理想方案和关键部件。AI大模型的兴起催生了海量算力需求，而数据处理量和传输速率大幅提升，使AI服务器对芯片内存容量和传输带宽提出了更高的要求，而HBM作为一种专为高性能计算设计的存储器，其市场需求也在持续增长。HBM的重要性在于，GPU对大规模并行计算的速率要求在持续提升，但计算过程本身需要算力、存力、运力三者同时匹配，通常存储的读取速度和计算的处理速度之间存在一定时间差，HBM就是为提高传输速率和存储容量应运而生的重要技术路线。

与GDDR相比，HBM在单体可扩展容量、带宽、功耗上整体更有优势，相同功耗下其带宽是DDR5的三倍以上。因此，HBM突破了内存瓶颈，成为当前AI GPU存储单元的理想方案和关键部件。

TrendForce(集邦咨询)认为，高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流，2023年全球搭载HBM总容量将达2.9亿GB，同比增长近60%，2024年将再增长30%。据Omdia预测，2025年HBM市场的总收入将达到25亿美元。

据报道显示，SK海力士宣布拟在韩国投资10亿美元扩大和改进其HBM芯片封装工艺，新投资将投入到HBM先进封装的MR-MUF和TSV技术中;美光则宣布正式量产业界领先的HBM3E解决方案，英伟达H200Tensor Core GPU将采用该内存方案，并于2024年第二季度开始出货;而三星的HBM3产品也于2024年第一季度陆续通过AMD MI300系列验证，其中包含其8层与12层产品，加快了追赶SK海力士的步伐。展望未来，随着存储巨头的持续发力，产业链上下游企业也将紧密部署，HBM的影响力将逐步扩大并带来全新机遇。